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DMN24H11DS-7  与  BSS131 H6327  区别

型号 DMN24H11DS-7 BSS131 H6327
唯样编号 A36-DMN24H11DS-7 A-BSS131 H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.2W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11Ω 14Ω@100mA,10V
上升时间 4.7ns -
漏源极电压Vds 240V 240V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 360mW
Qg-栅极电荷 3.7 nC -
典型关闭延迟时间 17.5ns -
栅极电压Vgs 1V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 - SOT-23
连续漏极电流Id 270mA 110mA
工作温度 -55°C ~ 150°C -55°C~150°C
配置 Single -
通道数量 1 Channel -
下降时间 102.3ns -
典型接通延迟时间 4.8ns -
库存与单价
库存 6,125 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
50+ :  ¥1.045
200+ :  ¥0.8041
1,500+ :  ¥0.6996
3,000+ :  ¥0.6512
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C ~ 150°C

¥1.045 

阶梯数 价格
50: ¥1.045
200: ¥0.8041
1,500: ¥0.6996
3,000: ¥0.6512
6,125 当前型号
BSS131 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS131H6327XTSA1_SOT-23 N-Channel 14Ω@100mA,10V 360mW -55°C~150°C ±20V 240V 110mA 车规

暂无价格 3,000 对比

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