DMN24H11DS-7 与 BSS131 H6327 区别
| 型号 | DMN24H11DS-7 | BSS131 H6327 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN24H11DS-7 | A-BSS131 H6327 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率 | 1.2W | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11Ω | 14Ω@100mA,10V | ||||||
| 上升时间 | 4.7ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 240V | 240V | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 360mW | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 3.7 nC | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 17.5ns | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 270mA | 110mA | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 配置 | Single | - | ||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||
| 下降时间 | 102.3ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 4.8ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,112 | 3,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C |
￥0.9372
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3,112 | 当前型号 | ||||||||
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BSS131 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 N-Channel 14Ω@100mA,10V 360mW -55°C~150°C ±20V 240V 110mA 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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